Biblioteka Cyfrowa dLibra - Wydawnictwa Instytutu Łączności

obecnie czytających: 21
STRONA GŁÓWNA
KOLEKCJE
NOWE KONTO
LOGOWANIE
KONTAKT

Kolekcja

Biblioteka

Biblioteka Cyfrowa Instytutu Łączności

OAI

Lista publikacji : Wydawnictwa Instytutu Łączności

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Wybierz interesującą Cię publikację:

154.

Challenges before National Institute of Telecommunications after fifty years of its activity, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 2 - Wierzbicki, Andrzej P.

Znajdź obiekty podobne do tego

155.

Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 - Haartman von, Martin; Hallstedt, Julius; Hellström, Per-Erik; Malm, Bengt Gunnar; Zhang, Shili; Zhang, Zhen; Östling, Mikael

Znajdź obiekty podobne do tego

156.

Challenges in scaling of CMOS devices towards 65 nm node, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 - Augendre, Emmanuel; Henson, Kirklen; Jurczak, Małgorzata; Keersgieter de, An; Lauwers, Anne; Lindsay, Richard; Mertens, Sofie; Pollentier, Ivan; Rooyackers, Rita; Rotschild, Aude; Scaekers, Marc; Severi, Simone; Veloso, Anabela

Znajdź obiekty podobne do tego

157.

Challenges in ultrathin oxide layers formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 - Beck, Romuald B.; Jakubowski, Andrzej; Korwin-Pawłowski, Michał; Łukasiak, Lidia

Znajdź obiekty podobne do tego

158.

Characteristics of the indoor propagation channel in 1.9 GHz band, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 4 - Janusek, Dariusz; Kosiło, Tomasz; Kurek, Krzysztof; Modelski, Józef

Znajdź obiekty podobne do tego

159.

Characterization of an aperture-stacked patch antenna for ultra-wideband wearable radio systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 2 - Klemm, Maciej; Troester, Gerhard

Znajdź obiekty podobne do tego

160.

Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Gottlob, Heinrich; Głuszko, Grzegorz; Lemme, Max; Szostak, Sławomir; Łukasiak, Lidia

Znajdź obiekty podobne do tego

161.

Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Ashburn, Peter; Gili, Enrico; Głuszko, Grzegorz; Łukasiak, Lidia

Znajdź obiekty podobne do tego

162.

Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Chung, Tsung Ming; Flandre, Denis; Głuszko, Grzegorz; Kilchytska, Valeriya; Olbrechts, Benoit; Raskin, Jean-Pierre; Łukasiak, Lidia

Znajdź obiekty podobne do tego

163.

Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1 - Fjeldly, Tor A.; Iniguez, Benjamin; Osthaug, Jarle

Znajdź obiekty podobne do tego

164.

Coherence of radial implicative fuzzy systems with nominal consequents, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2006, nr 4 - Coufal, David

Znajdź obiekty podobne do tego

165.

Comparative analysis of models and platforms for the e-learning portals, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2006, nr 2 - Boyarchuk, Artem

Znajdź obiekty podobne do tego

166.

Comparative Study of Wireless Sensor Networks Energy-Efficient Topologies and Power Save Protocols, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 3 - Kwaśniewski, Piotr; Niewiadomska-Szynkiewicz, Ewa; Windyga, Izabela

Znajdź obiekty podobne do tego

167.

Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristic ssimulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Jakubowski, Andrzej; Korwin-Pawlowski, Michael L.; Stęszewski, Jędrzej

Znajdź obiekty podobne do tego

168.

Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers’ fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Beck, Romuald B.; Bieniek, Tomasz; Hoffmann, Patrick; Konarski, Piotr; Mroczyński, Robert; Schmeißer, Dieter; Ćwil, Michał

Znajdź obiekty podobne do tego

169.

Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectrics, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 - Jakubowski, Andrzej; Janik, Tomasz; Korwin-Pawłowski, Michał; Majkusiak, Bogdan

Znajdź obiekty podobne do tego

170.

Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the ΦMS measurement results, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 - Kudła, Andrzej; Piskorski, Krzysztof; Przewłocki, Henryk M.; Rzodkiewicz, Witold

Znajdź obiekty podobne do tego

171.

Comparison of traffic performance of QPSK and 16-QAM modulation techniques for OFDM system, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 - Hossain, Siddique; Islam, Imdadul

Znajdź obiekty podobne do tego

172.

Competition and Diffusionof Telecommunication Services:The Multimedia CommunicationServices in Brazil, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2012, nr 4 - Rauen, Cristiane Vianna

Znajdź obiekty podobne do tego

173.

Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Beck, Romuald B.; Bieniek, Tomasz; Hoffmann, Patrick; Jakubowski, Andrzej; Konarski, Piotr; Schmeißer, Dieter; Ćwil, Michał

Znajdź obiekty podobne do tego

<<< Poprzednie / 57 Następne >>>