polski   English  

Biblioteka

Wyniki wyszukiwania

Wyniki wyszukiwania: obiekty podobne

odnośnik do wyników wyszukiwania
Zapytanie:
Podobne do wydania Osthaug, Jarle; Fjeldly, Tor A.; Iniguez, Benjamin, Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1
Wyniki:
  • - Znaleziono obiektów:   100
    • Wydania: 1
    • Publikacje: 99
Widok:
Prosty | Rozbudowany
1.  PDF Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1 - Fjeldly, Tor A. [■■■■■]
Trafność: 100%
Słowa kluczowe: conformal mapping , leakage current , sub-100 nm MOSFET , subthresholdregime , threshold voltage , two-dimensional devicemodeling
Znajdź obiekty podobne do tego
2.  PDF 2004, nr 4, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 78%
Znajdź obiekty podobne do tego
3.  PDF 2004, nr 2, JTIT - artykuł [■■■■■]
Trafność: 78%
Znajdź obiekty podobne do tego
4.  PDF 2004, nr 3, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 78%
Znajdź obiekty podobne do tego
5.  PDF 2004, nr 1, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 78%
Znajdź obiekty podobne do tego
6.  PDF Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2004, nr 3-4 - artykuły [■■■■■]
Trafność: 51%
Znajdź obiekty podobne do tego
7.  PDF 2014, nr 2, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 50%
Znajdź obiekty podobne do tego
8.  PDF 2014, nr 1, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 50%
Znajdź obiekty podobne do tego
9.  PDF Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2004, nr 1-2 - artykuły [■■■■■]
Trafność: 42%
Znajdź obiekty podobne do tego
10.  PDF 2000, nr 3-4, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 41%
Znajdź obiekty podobne do tego
<<< Poprzednie  / 10 Następne >>>
Serwis tworzony przez : Instytut Łączności więcej...
Ten serwis działa dzięki oprogramowaniu dLibra 4.0   więcej...