Biblioteka Cyfrowa
Opis wydania
SiGe field effect transistors – performance and applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1
-
-
Temat i słowa kluczowe :
circuits
;
epitaxy
;
FETs
;
SiGe
-
Opis :
Recent and encouraging developments in Schottky and MOS gated Si/SiGe field effect transistors are surveyed. Circuit applications are now beginning to be investigated. The authors discuss some of this work and consider future prospects for the role of SiGe field effect devices inmobile communications.
Zaproponuj słowa kluczowe, które Twoim zdaniem dobrze opisują to wydanie
Po zalogowaniu będziesz mógł zaproponować nowe słowa kluczowe dla tego wydania. Zaloguj się!