polski   English  

Biblioteka

Wyniki wyszukiwania

Wyniki wyszukiwania: obiekty podobne

odnośnik do wyników wyszukiwania
Zapytanie:
Podobne do wydania Tomaszewski, Daniel; Łukasiak, Lidia; Gibki, Jan; Jakubowski, Andrzej, An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1
Wyniki:
  • - Znaleziono obiektów:   103
    • Wydania: 2
    • Publikacje: 101
Widok:
Prosty | Rozbudowany
1.  PDF An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 - Gibki, Jan [■■■■■]
Trafność: 100%
Słowa kluczowe: SOI MOSFET , admittance , avalanche ionization , displacement current , floating body , recombination
Znajdź obiekty podobne do tego
2.  PDF 2001, nr 4, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 89%
Znajdź obiekty podobne do tego
3.  PDF 2001, nr 3, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 89%
Znajdź obiekty podobne do tego
4.  PDF 2001, nr 1, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 89%
Znajdź obiekty podobne do tego
5.  PDF 2001, nr 2, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 89%
Znajdź obiekty podobne do tego
6.  PDF Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2001, nr 3-4 - artykuły [■■■■■]
Trafność: 58%
Znajdź obiekty podobne do tego
7.  PDF Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2001, nr 1 - artykuły [■■■■■]
Trafność: 46%
Znajdź obiekty podobne do tego
8.  PDF Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2001, nr 2 - artykuły [■■■■■]
Trafność: 46%
Znajdź obiekty podobne do tego
9.  PDF 2014, nr 1, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 45%
Znajdź obiekty podobne do tego
10.  PDF 2014, nr 2, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 45%
Znajdź obiekty podobne do tego
<<< Poprzednie  / 11 Następne >>>
Serwis tworzony przez : Instytut Łączności więcej...
Ten serwis działa dzięki oprogramowaniu dLibra 4.0   więcej...