polski   English  

Biblioteka

Wyniki wyszukiwania

Wyniki wyszukiwania: obiekty podobne

odnośnik do wyników wyszukiwania
Zapytanie:
Podobne do wydania Bieniek, Tomasz; Beck, Romuald B.; Jakubowski, Andrzej; Kudła, Andrzej, Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1
Wyniki:
  • - Znaleziono obiektów:   108
    • Wydania: 6
    • Publikacje: 102
Widok:
Prosty | Rozbudowany
1.  PDF Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 - Beck, Romuald B. [■■■■■]
Trafność: 100%
Słowa kluczowe: MOS technology , plasma processing , radiation damage , shallow implantation
Znajdź obiekty podobne do tego
2.  PDF 2005, nr 2, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 47%
Znajdź obiekty podobne do tego
3.  PDF 2005, nr 3, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 47%
Znajdź obiekty podobne do tego
4.  PDF 2005, nr 4, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 47%
Znajdź obiekty podobne do tego
5.  PDF 2005, nr 1, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 47%
Znajdź obiekty podobne do tego
6.  PDF 2014, nr 1, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 38%
Znajdź obiekty podobne do tego
7.  PDF 2014, nr 2, JTIT - artykuły [■■■■■]
Trafność: 38%
Znajdź obiekty podobne do tego
8.  PDF Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2005, nr 3-4 - artykuły [■■■■■]
Trafność: 34%
Znajdź obiekty podobne do tego
9.  PDF Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2005, nr 1-2 - artykuły [■■■■■]
Trafność: 34%
Znajdź obiekty podobne do tego
10.  PDF Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers’ fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Beck, Romuald B. [■■■■■]
Trafność: 33%
Słowa kluczowe: PECVD , SIMS , XPS , oxynitride , ultra-thin dielectrics
Znajdź obiekty podobne do tego
<<< Poprzednie  / 11 Następne >>>
Serwis tworzony przez : Instytut Łączności więcej...
Ten serwis działa dzięki oprogramowaniu dLibra 4.0   więcej...