1.
|
|
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 - Brzezińska, Danuta
|
[■■■■■]
|
|
|
2.
|
|
2005, nr 2, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
3.
|
|
2005, nr 3, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
4.
|
|
2005, nr 1, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
5.
|
|
2005, nr 4, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
6.
|
|
Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 - Borowicz, Lech
|
[■■■■■]
|
|
Trafność:
|
26%
|
Słowa kluczowe: |
MIS structure , contact potential difference , internal photoemission , photoelectrical methods |
Znajdź obiekty podobne do tego
|
|
7.
|
|
Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 - Piskorski, Krzysztof
|
[■■■■■]
|
|
|
8.
|
|
2014, nr 2, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
9.
|
|
2014, nr 1, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
10.
|
|
Trzaskowska, Maria Jolanta, 2000, Ocena jakości sygnału mowy w oparciu o model E w zastosowaniu do krajowej sieci telefonicznej
|
[■■■■■]
|
|
|