1.
|
|
Properties and benefits of fluorine in silicon and silicon-germanium devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 - Ashburn, Peter
|
[■■■■■]
|
|
Trafność:
|
100%
|
Słowa kluczowe: |
bipolar transistor , boron diffusion , fluorine , passivation of interface states , polysilicon emitter |
Znajdź obiekty podobne do tego
|
|
2.
|
|
2007, nr 4, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
3.
|
|
2007, nr 3, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
4.
|
|
2007, nr 2, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
5.
|
|
2007, nr 1, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
6.
|
|
2014, nr 1, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
7.
|
|
2014, nr 2, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
8.
|
|
Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2007, nr 3-4 - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
9.
|
|
Telekomunikacja i Techniki Informacyjne, 2007, nr 1-2 - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|
10.
|
|
2000, nr 3-4, JTIT - artykuły
|
[■■■■■]
|
|
|