Opis publikacji
Symulacje, projektowanie i wykonanie apodyzowanej maski fazowej przy użyciu technologii szkieł HEBS
Publikacja planowana
-
-
Opis : Praca posiada charakter teoretyczno-doświadczalny i poświęcona jest opracowaniu nowej technologii z zastosowaniem szkieł HEBS do wytwarzania masek fazowych o zmiennej wydajności dyfrakcyjnej na potrzeby nanoszenia światłowodowych siatek Bragga. W części teoretycznej rozprawy dokonano analizy wpływu położenia światłowodu względem apodyzowanej maski fazowej na rozkład zespolonej amplitudy pola ugiętego w obszarze rdzenia włókna optycznego w procesie nanoszenia siatek Bragga. Zbadano również rozkład zaburzenia pola dyfrakcyjnego na skutek nieciągłego profilu zmian wysokości stopnia fazowego w masce apodyzowanej. Wszelkie zagadnienia ujęte w pracy dotyczą siatek Bragga typu I, to znaczy wykonanych na włóknach fotoczułych laserem o pracy ciągłej. Wyniki symulacji pozwalają w oparciu o teorię dyfrakcji zrozumieć i kontrolować proces nanoszenia siatek Bragga ze szczególnym uwzględnieniem struktur apodyzowanych. W części doświadczalnej zaproponowano nową metodę wytwarzania apodyzowanych masek fazowych stosując szkła HEBS. Zaproponowana technologia składa się z dwóch zasadniczych etapów. W etapie pierwszym podłoże HEBS wykorzystywane jest do rejestracji półtonowego obrazu struktury stosując zmienne dawki ekspozycji w czasie generacji wzoru wiązką elektronów. W etapie drugim warstwa rezystu naniesionego na podłoże naświetlana jest poprzez uzyskaną maskę w standardowym procesie kopiowania (jednakowa dawka dla całej powierzchni maski), a następnie jest wywoływana. Prędkości wywoływania poszczególnych obszarów wzoru (a zatem i grubości warstwy po wywołaniu) różnią się w zależności od dawek energii zaabsorbowanych przez warstwę fotorezystu, wynikających zarówno z warunków naświetlania maski, jak i z lokalnej gęstości optycznej wzoru.Wykonane struktury zostały zweryfikowane eksperymentalnie z użyciem trzech niezależnych metod pomiarowych, tj. pomiar wydajności dyfrakcyjnej, profilometria oraz mikroskopia sił atomowych.